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MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
ZnO薄膜 MOCVD 定向生长 压电双晶片 |
| 资料大小： |
147K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积（A-MOCVD）的方法，在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜。薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上。综合分析ZnO自身晶体生长习性，提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型。并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件，在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量，结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性。该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效，有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型。 |
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| 作者： |
林煌 袁洪涛 童强 张阳 张跃
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| 上传时间： |
2007-07-12 16:31:00 |
| 下载次数： |
616 |
| 消耗积分： |
2
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| 立即下载： |
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