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离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

资料类型：

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关键词：

离子束溅射非晶硅喇曼散射电阻率

资料大小：

128K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅（a-Si）薄膜，用双四探针法测量了不同温度下的电阻率，用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构。结果发现随着衬底温度的升高，薄膜的电阻率逐渐增大，衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在。

作者：

邓书康陈刚高立刚陈亮俞帆方静华杨宇

上传时间：

2007-07-13 14:50:06

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