MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究

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关键词：

MOCVD In2O3薄膜结构性质光电性质

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349K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底(0001)面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和(222)方向择优取向生长，电阻率～6.4010-3Ωcm，在可见光区域的平均透过率达到了90%以上。

作者：

杨帆，马瑾，冯先进，孔令沂，张凯

上传时间：

2008-09-09 17:16:23

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