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In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响

In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响

资料类型：

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关键词：

ZnO薄膜 N-In共掺杂缺陷光致发光

资料大小：

334K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，c轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向p型转变；当前驱体溶液中In的比例＞0.03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。

作者：

罗红波，谭劲，杨福华，池召坤

上传时间：

2008-09-11 15:03:16

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相关评论 共有1人发表评论

qicoed 2009-05-09 15:09:10

内容引用了，谢谢哈

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