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II-VI族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制

II-VI族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制

资料类型：

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关键词：

II-VI族化合物碲锌镉晶体生长退火改性晶体缺陷

资料大小：

197K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

围绕作者所在课题组近年来的研究工作，综述了II－VI族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理。从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法。

作者：

介万奇李宇杰

上传时间：

2007-07-18 13:43:32

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相关评论 共有2人发表评论

wonlyou 2012-07-31 15:11:05

不错，有帮助

lijingyan 2009-05-29 10:37:18

很好，谢谢。

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