THz量子级联激光器的材料生长和器件制作，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

资料类型：

PDF文件

关键词：

太赫兹量子级联激光器分子束外延

资料大小：

291K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用分子束外延的方法，生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9～150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。

作者：

韩英军，黎华，谭智勇，曹俊诚

上传时间：

2008-09-11 15:35:30

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