p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究

资料类型：

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关键词：

PECVD SiN薄膜反应源气体流量比反应压强

资料大小：

277K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对SiN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响。在制备高质量的p-SiTFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。

作者：

张化福，刘汉法，祁康成

上传时间：

2008-09-11 15:27:51

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