圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

圆柱靶溅射芯片铜导线中硅盘铜线的均匀度和对称性

资料类型：

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关键词：

物理气相沉积溅射铜互连角系数

资料大小：

283K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

研究开发了一个角系数模型来模拟低气压下圆柱靶溅射沉积铜连线。研究包含靶上不同部位对铜连线的均匀性和对称性的影响，也包含圆柱靶溅射中的再沉积。研究发现下段柱筒的沉积量大，铜膜在硅盘边缘部分的沟槽中对称性好于上段，但硅盘上铜膜的不均匀性也最严重。当上段柱筒距硅盘距离足够远时，上段柱筒的角系数趋势起到部分抵消中段和下段角系数的不均匀趋势，对沉积铜在硅盘上的均匀性起帮助作用。圆柱顶端和柱筒上段需要提高溅射强度以降低再沉积的不良影响。但是提高柱筒上段的溅射强度会对硅盘边缘线路沟槽中的铜膜的对称性产生不良影响。

作者：

杨林，吕俊青

上传时间：

2008-05-16 15:51:21

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