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真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究 |
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资料类型: |
PDF文件
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关键词: |
光电薄膜 β-FeSi2 真空热处理 磁控溅射 |
资料大小: |
381K |
所属学科: |
分子表征 |
来源: |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉) |
简介: |
磁控溅射法沉积的Fe/Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多层膜在<880℃温度下真空热处理2h后,样品均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物,且取向杂乱。在920℃真空热处理后,两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明,样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大,最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现,Fe/Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度为0.88eV。 |
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作者: |
沈鸿烈,高 超,黄海宾
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上传时间: |
2008-09-08 14:36:28 |
下载次数: |
30 |
消耗积分: |
2
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立即下载: |
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