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真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究  
真空热处理制备β-FeSi2光电薄膜的研究
资料类型: PDF文件
关键词: 光电薄膜  β-FeSi2  真空热处理  磁控溅射  
资料大小: 381K
所属学科: 分子表征
来源: 2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
磁控溅射法沉积的Fe/Si多层膜和Fe单层膜经真空热处理后制备了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多层膜在<880℃温度下真空热处理2h后,样品均呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则易形成β-FeSi2与ε-FeSi相的混合物,且取向杂乱。在920℃真空热处理后,两种样品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力显微镜分析表明,样品表面粗糙度随热处理温度升高而变大,最大表面均方根粗糙度约为16nm。卢瑟福背散射分析发现,Fe/Si多层膜样品热处理过程中元素再分布很小。根据光吸收谱测量,Fe/Si多层膜制备的β-FeSi2薄膜的禁带宽度为0.88eV。
作者: 沈鸿烈,高 超,黄海宾
上传时间: 2008-09-08 14:36:28
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