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Mg2Si 电子结构及光学性质的研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质 |
| 资料大小： |
425K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0.2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数1(0)＝18.89；折射率0n＝4.3460；吸收系数最大峰值为356474.5cm-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。 |
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| 作者： |
陈茜，谢泉，闫万珺，杨创华，赵凤娟
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| 上传时间： |
2008-05-16 14:53:32 |
| 下载次数： |
65 |
| 消耗积分： |
2
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| 立即下载： |
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