纳米掺杂SnO2 的研究及其第一性原理的计算，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

纳米掺杂SnO2 的研究及其第一性原理的计算

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关键词：

第一性原理 SnO2 电子结构掺杂

资料大小：

558K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

利用Castap软件计算了Co以不同比例掺杂SnO2的电子结构，分析了掺杂及掺杂比例对改善SnO2导电性的作用，建立了纯SnO2计算模型。计算结果表明：纯SnO2是一种包含离子键的共价键直接禁带半导体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质，使其具有金属键性质，从而提高SnO2导电性。其中，掺杂比率为5%的价带到中间能级宽度最小，掺杂原子与其邻近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最高，费米能级处对电子态密度的贡献也最大，因此掺杂比率为5%的导电性最好。

作者：

刘志勇，郑冀，李松林

上传时间：

2008-09-05 13:37:30

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相关评论 共有3人发表评论

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hahaxinxin 2009-03-03 15:14:10

好很到位

hahaxinxin 2009-03-03 15:11:40

很好很到位

arlygay 2008-11-23 15:23:27

内容不错，值得参考！

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