CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

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CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究

CrSi2能带结构和光学性质的第一性原理研究

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关键词：

CrSi2 电子结构光学性质第一性原理

资料大小：

447K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）赝势平面波方法，对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算，能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体，禁带宽度为0.353eV；其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定；计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等。经比较，计算结果与已有的实验数据符合较好。

作者：

周士芸，谢泉，闫万珺，陈茜

上传时间：

2008-09-08 14:28:54

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相关评论 共有3人发表评论

lidan0123 2010-01-10 10:54:08

顶一下，呵呵

plxxy 2009-05-24 14:47:24

先顶一下再看

hahaxinxin 2009-03-03 15:13:07

好很到位

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