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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
氮化硼薄膜 表面热处理 场发射 发射电流 阈值电场 |
| 资料大小： |
112K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于510-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究，结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响，样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关，未进行热处理的样品阈值电场较低，可能归因于表面负电子亲和势效应，阈值电场为8V/&micro；m，发射电流为80&micro；A，热处理温度为800℃时，负电子亲和势仍然存在，直到热处理温度达到1000℃时，表面负电子亲和势才消失。 |
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| 作者： |
李卫青 顾广瑞 李英爱 何志 冯伟 刘丽华 赵春红 赵永年
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| 上传时间： |
2007-07-11 14:07:13 |
| 下载次数： |
616 |
| 消耗积分： |
2
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