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Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究  
Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究
资料类型: PDF文件
关键词: 气-液-固反应  Ag(TCNQ)纳米线  场发射  
资料大小: 145K
所属学科: 分子表征
来源: 2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线。样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50~300nm,长度在2~50µm。初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vµm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vµm-1。由测量所得I-V曲线得到的Fowler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能。重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性。结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素。
作者: 叶春暖 莫晓亮 徐华华 韩成赫 曹冠英 孙大林 陈国荣
上传时间: 2007-07-09 16:19:24
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