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氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究

氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究

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关键词：

氮化硼薄膜退火傅立叶变换红外光谱应力

资料大小：

270K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

利用射频溅射系统在p型Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的常压下N2保护退火。通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析，发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动，计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题，可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。

作者：

张晓康，邓金祥，王瑶，陈光华，郝伟，侯碧辉, 贺德衍

上传时间：

2008-05-20 15:03:04

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