Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method，2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会（6.6-6.10，北京)-中国聚合物网,论文下载

Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method

资料类型：

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关键词：

neutral cluster beam deposition method

资料大小：

76K

所属学科：

分子表征

来源：

2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会（6.6-6.10，北京)

简介：

Wepresentthefirstapplicationoftheneutralclusterbeamdeposition(NCBD)methodtopreparen-typeorganicthin-filmtransistorswithatop-contactstructurebasedonN,N’-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylicdiimide(P13).Systematicanalysiswascarriedouttoexaminetheeffectsofsurfacepassivationandthermalpost-treatmentonthemorphologyandcrystallinityofP13activelayersanddeviceperformance,togetherwithoperationalstabilityasafunctionoftime.

作者：

Ying Zhang,* Hoon-seok Seo, Min-jun An, Jong-ho Choi

上传时间：

2009-07-29 11:09:17

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