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用于HIT 太阳能电池的本征非晶硅薄膜

用于HIT 太阳能电池的本征非晶硅薄膜

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关键词：

本征非晶硅薄膜 HIT PECVD

资料大小：

211K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

带本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙，为约1.87eV。，衬底温度为180℃，放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。

作者：

宋佩珂，曾祥斌，张锐，赵伯芳

上传时间：

2008-08-14 17:20:11

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相关评论 共有2人发表评论

solez 2009-05-25 14:05:10

whahaha

07wxt 2008-12-11 15:21:40

hahahahhaha

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