Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程

资料类型：

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关键词：

非晶GaN 多晶GaN 氨气 Ga

资料大小：

274K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用磁控溅射法在Si（111）衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱（XRD）、X光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明：（1）在900℃氮气气氛中退火，非晶态GaN保持不变；（2）在900℃氨气气氛中退火，虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN，但却出现中间相金属Ga；（3）在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中，GaN晶粒将逐渐增大。

作者：

肖洪地，马洪磊，刘蓉，马瑾，林兆军

上传时间：

2008-09-10 13:40:54

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