CeO2 掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

CeO2 掺杂氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与显微组织的研究

资料类型：

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关键词：

氧化锌压敏阀片 CeO2 压敏电位梯度显微组织

资料大小：

266K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用添加微量CeO2的方法，提高氧化锌压敏阀片的电位梯度，使之具有优良的综合性能。同时研究了微量CeO2添加剂对氧化锌压敏电阻片的压敏电位梯度的影响，并通过SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究，从理论上探讨了CeO2影响氧化锌压敏阀片压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明，在0～0.06%(摩尔分数)成分范围内，随着CeO2含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度明显提高；当CeO2含量超过0.06%（摩尔分数）时，随其含量的增加，氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度又呈降低趋势。其原因是CeO2加入到氧化锌压敏阀片中，以原相形式独立存在的CeO2相钉扎在晶界，阻碍晶界运动，抑制了ZnO晶粒的生长；另一方面，CeO2添加剂在陶瓷烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙锌离子Zni的总浓度下降，因而填隙锌离子的传质能力下降，抑制了ZnO晶粒的生长，因而晶粒尺寸随CeO2的添加而下降，压敏电位梯度显著提高。

作者：

严群，冯庆芬，黄庆，苏华，谢显蛟，涂铭旌

上传时间：

2008-09-05 13:09:18

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