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新型硅基GaN 外延材料的热应力模拟 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
GaN SOI 热应力 MEMS |
| 资料大小： |
352K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异质外延的晶格失配，但是单从热失配的角度，由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2，SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力，我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺，用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法，借助于SOI材料自停止刻蚀的优势，将衬底硅和埋氧去除，使得SOI的超薄顶层硅部分悬空，形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明，这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20%左右。 |
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| 作者： |
王曦，孙佳胤，武爱民，陈静，王曦
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| 上传时间： |
2008-05-19 15:14:46 |
| 下载次数： |
60 |
| 消耗积分： |
2
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| 立即下载： |
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