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正向电压及氧化时间对ZAlSi12 微弧氧化陶瓷层特性的影响  
正向电压及氧化时间对ZAlSi12 微弧氧化陶瓷层特性的影响
资料类型: PDF文件
关键词: ZAlSi12  微弧氧化  正向电压  氧化时间  
资料大小: 263K
所属学科: 分子表征
来源: 2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
ZAlSi12因为含Si量高,其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中Si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此,研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律,并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达169μm。氧化时间为0~48min时,膜层生长速度快,超过48min后,生长缓慢。因此,适宜的氧化时间为48min。
作者: 吕凯,刘向东,池波,张雅萍,张静,刘晓丽,乌迪
上传时间: 2008-05-16 15:36:22
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相关评论 共有1人发表评论 更多评论
peter007007    2009-11-12 12:17:12
very good
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