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| 资料类型： |
PDF文件
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570K |
| 所属学科： |
分子表征 |
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第十三届全国应用化学会议论文集（2013.8.23~26，长春） |
| 简介： |
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从上世纪70年代的10μｍ制程技术开始到2012年英特尔量产22nmIvyBridge处理器，在过去的半个世纪里半导体产业给人类生活带来了翻天覆地的变化。众所周知，半导体行业采用光刻法来制造处理器。现今业界采用的光刻光源是193nm紫外光，一次曝光只能制备节距不小于80纳米的结构，想要制造更细微的纳米结构，必须采用液浸曝光技术两次或多次曝光[1]。迄今为止，业界仍未确定制备16nm或者更小的动态随机存储器或微处理器单元半节距(DRAMorMPUl/2pitch)的光学方案。但是，美国半导体研究联盟遴选出潜在的可用于制备16和IInmMPU/DRAM的六种备选技术，其中包括“DSA+litho”，即嵌段共聚物的引导组装... |
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| 作者： |
季生象
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| 上传时间： |
2013-10-28 14:57:04 |
| 下载次数： |
2 |
| 消耗积分： |
2
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