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“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器  
“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器
资料类型: PDF文件
关键词:
资料大小: 681K
所属学科: 分子表征
来源: 第十三届全国应用化学会议论文集(2013.8.23~26,长春)
简介:
通过Suzuki偶联反应,合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体,二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l],并以该聚合物与C60。衍生物PC61,BM以1:2的比例共混作为活性层,制备了器件结构为ITO/PEDOT:PSS(30nm)/活性层(AC,100nm)/Al(IOOnm)的光电探测器件。在此基础上,采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。研究结果表明,所合成聚合物PTPDAP薄膜的吸收光谱含盖了300-1100nm的较宽范围,并且在600nm以后的红光和近红外光波段,具有较强的吸收,为其在全光谱响应的光电探测上得以应用奠定了基础心[2-3]。由PTPTDAP所制备的光电探测器在不同偏压下的外量子效率(EQE)如图la所示,其光伏响应范围在300到1100nm之间,在-2V偏压下800nm处的EQE达到了12%。归一化探测度(D*)如图lb所示,OV偏压下,800nm处的D*为3×lollJones,从300-900nm范围内,D*都稳定地维持在10ll-1012Jones之间,说明该聚合物光电探测器可以实现“紫外一可见一近红外光”范围内的全光谱探测[3-4]。
作者: 齐 迹 钱 钢 王植源
上传时间: 2013-10-15 15:31:19
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244391284    2014-03-30 23:49:22
对光电探测器从可见不可见光几个层面进行了解析
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