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正电子谱学技术及在高分子材料微结构表征中的应用  
正电子谱学技术及在高分子材料微结构表征中的应用
资料类型: Word文件
关键词:
资料大小: 322K
所属学科: 分子表征
来源: 2008年全国高分子材料科学与工程研讨会(10.15-10.18,贵阳)
简介:
正电子是人类发现的第一个反粒子,正电子在真空中十分稳定,进入物质后会与介质中的电子发生湮没,将全部质量转变成能量,称为正电子湮没。正电子在介质中的湮没寿命强烈地依赖于材料的种类与状态,特别是当正电子被材料中缺陷“局域化”,即正电子被缺陷捕获湮没时,其寿命与缺陷性质密切相关,可提供材料的微观缺陷结构信息。因而正电子湮没方法成为研究物质材料微观结构的重要手段之一
作者: 王宝义,于润升,魏 龙
上传时间: 2008-12-05 10:16:22
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