半导体非线性光学材料的第一性原理研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

半导体非线性光学材料的第一性原理研究

资料类型：

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关键词：

非线性光学材料非临界位相匹配密度泛函理论

资料大小：

338K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

通过第一性原理研究II-IV-V2族CKP半导体中的CdSiAs2，计算了其双折射性，量化了双折射性同应力的线性关系，它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示，少量的参杂Ge（＜5%），能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐，它可能具有很高的有效χ(2)。

作者：

姜晓庶, Walter R. L. Lambrecht

上传时间：

2008-09-09 16:38:04

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hahaxinxin 2009-03-03 15:17:46

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