P 型硅并五苯有机场效应晶体管的研制，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

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P 型硅并五苯有机场效应晶体管的研制

P 型硅并五苯有机场效应晶体管的研制

资料类型：

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关键词：

有机场效应晶体管并五苯迁移率

资料大小：

213K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

以P++硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0.31cm2/V.s。

作者：

董茂军，陶春兰，孙硕，李建丰，欧谷平，张福甲

上传时间：

2008-08-27 16:32:45

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zfaj_2005 2009-03-20 16:56:56

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