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不同剂量和退火条件下Mn+注入p-GaN 薄膜的电、磁特性研究  
不同剂量和退火条件下Mn+注入p-GaN 薄膜的电、磁特性研究
资料类型: PDF文件
关键词: gan  离子注入  退火  磁性  电阻率  
资料大小: 228K
所属学科: 分子表征
来源: 2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
对在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p型GaN薄膜,用能量为90keV的Mn+离子进行室温下的磁性离子注入掺杂,注入剂量为11015~51016cm-2。对注入的样品在N2气流中经800℃下0~90s时间不等的快速热退火处理。对样品的电、磁特性分析发现在注入剂量较低时(≤11016cm-2),样品中的强铁磁性对应着高电阻率,弱铁磁性对应着低电阻率;而在51016cm-2的高注入剂量下则没有这样的规律。通过对退火条件的研究,发现在800℃下退火45s的样品具有较强的铁磁性和较低的电阻率,而退火90s的样品中铁磁性减弱,电阻率升高,揭示出注入剂量和退火条件是在对p型GaN薄膜进行磁性离子注入掺杂过程中的两个重要控制参量。
作者: 石瑛,宋平,蒋昌忠,范湘军
上传时间: 2008-08-22 15:05:49
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