不同剂量和退火条件下Mn+注入p-GaN 薄膜的电、磁特性研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

不同剂量和退火条件下Mn+注入p-GaN 薄膜的电、磁特性研究

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关键词：

gan 离子注入退火磁性电阻率

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所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

对在蓝宝石衬底上MOCVD生长的p型GaN薄膜，用能量为90keV的Mn+离子进行室温下的磁性离子注入掺杂，注入剂量为11015～51016cm-2。对注入的样品在N2气流中经800℃下0～90s时间不等的快速热退火处理。对样品的电、磁特性分析发现在注入剂量较低时（≤11016cm-2），样品中的强铁磁性对应着高电阻率，弱铁磁性对应着低电阻率；而在51016cm-2的高注入剂量下则没有这样的规律。通过对退火条件的研究，发现在800℃下退火45s的样品具有较强的铁磁性和较低的电阻率，而退火90s的样品中铁磁性减弱，电阻率升高，揭示出注入剂量和退火条件是在对p型GaN薄膜进行磁性离子注入掺杂过程中的两个重要控制参量。

作者：

石瑛，宋平，蒋昌忠，范湘军

上传时间：

2008-08-22 15:05:49

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