旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析

资料类型：

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关键词：

LGS晶体旋转Y切压电常数

资料大小：

160K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiO14晶体较为准确的压电参数。其中La3Ga5SiO14晶体的d11和d14分别为5.5910-12C/N和-5.0110-12C/N。（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26/≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000。

作者：

赵明磊王增梅袁多荣王矜奉王春雷王渊旭王晓颖

上传时间：

2007-07-12 15:43:24

下载次数：

615

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