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Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
sns 薄膜 两步法 光电性能 |
| 资料大小： |
310K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150～350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230～250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性和对基片的附着力都较好，具有(111)方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg＝1.38eV，在基本吸收边附近的吸收系数大于104/cm，用霍尔测量系统测得其导电类型为p型，适合应用于太阳能电池的吸收层材料。 |
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| 作者： |
彭少朋，程树英
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| 上传时间： |
2008-08-12 15:56:53 |
| 下载次数： |
44 |
| 消耗积分： |
2
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