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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
CdSe 晶体生长 气相提拉 平界面 生长 |
| 资料大小： |
321K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm/d的生长速度,得到了平界面生长的尺寸为φ20mm30mm，电阻率高达109Ωcm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体。 |
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| 作者： |
何知宇，赵北君，朱世富，任锐，温才，叶林森，钟雨航，王立苗，杨慧光
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| 上传时间： |
2008-05-19 15:20:16 |
| 下载次数： |
59 |
| 消耗积分： |
2
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