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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
非晶SiO2纳米线 热蒸发法与溶胶-凝胶法 光致发光谱（PL） 氧空位缺陷中心 量子尺寸效应 |
| 资料大小： |
202K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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热蒸发法与溶胶－凝胶法相结合，成功制备出大量非晶SiO2纳米线。这些纳米线的直径在10~200nm范围内，长度可达几十或几百微米。借助于低温（14K）光致发光谱（PL），我们发现平均直径为150nm和15nm的非晶SiO2纳米线表现出极大的不同。前者的发光谱带可分解为峰值分别在494nm（2.51eV）和429nm（2.89eV）附近的两个蓝光发射带。而后者除了在496nm(2.5eV)有一个宽的蓝光带外，在375nm（3.32eV）、385nm(3.22eV)和395nm（3.13eV）处还表现出三个明显的紫外发光峰位。这些蓝光带的产生是由于非晶SiO2纳米线中的氧空位缺陷中心引起的，但紫外发光峰产生的原因尚需进一步研究。此外，直径为15nm的非晶SiO2纳米线的发光强度是直径为150nm的纳米线的6倍多，表现出明显的量子尺寸效应。 |
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| 作者： |
陈翌庆 张琨 王兵 侯建国
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| 上传时间： |
2007-07-09 16:22:51 |
| 下载次数： |
618 |
| 消耗积分： |
2
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