Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

资料类型：

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关键词：

Ce:Eu:SBN晶体全息存储性能位相共轭

资料大小：

121K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

在SBN中掺进0.1%（质量分数）CeO2和0.1%（质量分数）Eu2O3，以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体，在空气中退火24h，退火温度为1300℃。测试Ce:Eu:SBN晶体的位相共轭反射率和响应时间。Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率（R=92%）和响应时间(38s)，以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜（阈值，增益反馈系统）进行全息关联存储实验。系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点。Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体。

作者：

刘彩霞徐朝鹏徐玉恒

上传时间：

2007-07-09 11:37:30

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