热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜-中国聚合物网,论文下载

热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜

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a-Si:H薄膜热丝光敏性沉积速率

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结构表征

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简介：

我们用热丝辅助MWECRCVD系统，在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜。通过膜厚测定，红外光谱分析光、暗电导测量等手段，分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律。结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高，沉积速率超过3nm/s，光暗电导之比提高到6105。找到最佳辅助热丝温度为1450℃。通过对带隙值的分析，发现当带隙值在1.6~1.7范围内时，薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比。

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2007-07-06 16:09:19

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