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MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究 |
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资料类型: |
PDF文件
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关键词: |
氢化非晶硅薄膜 暗电导激活能 光敏性 |
资料大小: |
262K |
所属学科: |
性能表征 |
来源: |
来源网络 |
简介: |
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好。 |
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上传人: |
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上传时间: |
2007-07-17 14:55:41 |
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cqs2008 2009-09-25 17:12:55 |
很好的文章,下下来看看! |
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