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              |  | MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究 |  |  
       
            
            
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              | 资料类型: | PDF文件 |  
        | 关键词: | 氢化非晶硅薄膜  暗电导激活能  光敏性 |  
        | 资料大小: | 262K |  
        | 所属学科: | 性能表征 |  
        | 来源: | 来源网络 |  
        | 简介: | | 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好。 | 
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        | 上传人: |  |  
        | 上传时间: | 2007-07-17 14:55:41 |  
        | 下载次数: | 577 |  
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                  | cqs2008    2009-09-25 17:12:55 |  
                  | 很好的文章,下下来看看! |  |  
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