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MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究 |
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| 资料类型: |
PDF文件
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| 关键词: |
氢化非晶硅薄膜 暗电导激活能 光敏性 |
| 资料大小: |
262K |
| 所属学科: |
性能表征 |
| 来源: |
来源网络 |
| 简介: |
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通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好。 |
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| 上传人: |
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| 上传时间: |
2007-07-17 14:55:41 |
| 下载次数: |
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| cqs2008 2009-09-25 17:12:55 |
| 很好的文章,下下来看看! |
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