高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究-中国聚合物网,论文下载

高介电HfO2薄膜的制备及其结构和界面特性研究

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关键词：

等离子体氧化氧化铪高介电薄膜制备界面

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109K

所属学科：

结构表征

来源：

来源网络

简介：

报道了用低温等离子体直接氧化溅射金属铪膜的方法制备高介电HfO2薄膜。研究了退火温度及气氛对薄膜的结构和界面特性的影响。傅立叶变化红外测试结果表明：界面的主要成分为SiO2，氧气气氛下的高温退火将导致界面SiO2的不可控制的生长。高纯的N2退火导致了界面层的分解，引起Si-O键的振动峰位的轻微移动。

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2007-07-12 15:44:43

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gutian 2010-03-03 15:53:04

试了几次才下来，文章还是不错的

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