华东理工大学陈彧教授团队《ACS AMI》:水溶性聚噻吩共轭聚电解质基瞬态忆阻器
2022-08-23 来源:高分子科技
保护存储在电子存储器件中的敏感信息不被泄露的关键是开发出能够在紧急情况下迅速销毁的瞬态电子器件。销毁电子器件中存放信息的方式一般有机械销毁、数据覆盖(但可恢复)、高温销毁(300-1800℃)、化学腐蚀(常用浓度为55%~58%的浓氢碘酸等化学试剂)、高电压击穿毁损、消磁法(适用于磁性存储介质,至少要使用相当于磁性介质矫顽磁性5 倍的磁力)以及溶解活性层等方式。但在紧急状态下很难快速实施前六种措施。通过水溶、光分解等手段快速溶解/破坏活性层的技术就成为了极端情况下保证信息安全的最后一道防线。
图1:Al/PTT-NMI+Br-/ITO柔性忆阻器结构及器件活性层被水迅速溶解的示意图
图2: (a) 样品水溶液照片;(b) Al/PTT-NMI+Br-/ITO coated PET器件结构示意图;(c) PTT-NMI+Br-薄膜的导电原子力显微镜图像(扫描尺寸:10×10 μm2);(d) 器件的电流-电压特性曲线;(e)在0.5V恒定电压下,器件运行的时间稳定性测试;(f) 读取脉冲对器件开启和关闭状态电流的影响(插图显示用于测量的脉冲);(g) 器件在±4V的开关脉冲下的耐久性能。脉冲宽度=100ms;脉冲周期=300ms;(h)“写-读-擦除-读”循环操作下的脉冲电压模式(黑色)和相应的电流响应(红色)。
图3: (a)不同弯曲状态下的柔性存储器件(左:压缩状态;右:拉伸状态);器件在(b)压缩和(c)拉伸状态下的电流-电压特性;(d)50个不同器件在压缩(紫色)、平整(绿色)和拉伸(粉色)状态下的开关电压和(e)开启与关闭状态下的电流的箱线图;(f)器件在重复弯曲应力下的保留特性。
图4:(a) Al/PTT-NMI+Br-/ITO器件在±1V扫描范围内的电流-电压特性;在 (b) -1V 和 (c) 1V 处读取的偏差电流和电压扫描数之间的线性关系;器件在 (d) -1V 和 (e) 1V 脉冲电压下的时间保持性能;(f) 连续升压和降压刺激下的器件电流变化;(g-k) “学习-遗忘-再学习-再遗忘”过程的演示。电压脉冲的幅度、持续时间和周期分别为 1 V、10 ms 和 2s。在 -0.2 V 的小电压下监测电流响应。
图5:Al/PTT-NMI+Br-/ITO coated PET器件的频率依赖的突触增强和脉冲频率依赖可塑性:(a)本工作使用的脉冲频率示意图;器件在10个不同频率的脉冲刺激下(b)电流和(c)电流变化(ΔI)的变化过程;(d)器件与脉冲间隔相关的可塑性。双脉冲易化(PTP)和强直后增强(PPF)的拟合公式为y=y0+Aexp(-x/t),电压脉冲的幅值为1 V,持续时间为10 ms。用-0.2 V的小电压监测电流响应。
图6:Al/PTT-NMI+Br-/ITO器件的活性层在20s内被水溶解过程的照片。
原文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c04752
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(责任编辑:xu)
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