BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究-中国聚合物网,论文下载

BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究

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铁电薄膜 BST 外延生长 LMBE

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简介：

利用激光分子束外延技术（LMBE）在Si(111)、SrTiO3（100）单晶基片上在（10-5Pa）高真空环境中外延生长SrTiO3（STO）、BaTiO3（BTO）、Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）铁电薄膜。通过反射高能电子衍射（RHEED）实时监测薄膜生长，并结合原子力显微镜（AFM）分析薄膜的生长模式。根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度，发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长。当保持BTO(110)/Si（111）层状生长，逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成，并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时，每层高度由9降低到1个BTO单胞构成，这对由ABO3钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义。

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2007-07-13 13:23:38

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