CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察-中国聚合物网,论文下载

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

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晶体生长蚀坑密度布里奇曼法晶体定向

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简介：

利用CdZnTe晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向，研磨出了CdZnTe单晶体的（111）、（100）面。采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀，得到了（111）、（100）和（110）面的腐蚀照片，并计算出了蚀坑密度（EPD）约为104~105/cm2数量级。结果表明生长晶体的质量较好。

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2007-07-06 13:35:45

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zhengsir2005 2009-03-20 13:43:28

very good

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