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Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
硅化镁 掺杂 电子结构 热电性能 |
| 资料大小： |
127K |
| 所属学科： |
结构表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb，Te和Ag系列，讨论了电子结构与热电性能之间的关系。掺杂使得离子键和共价键强度降低，在费米能级附近的能隙变小，从而提高材料电导率，降低材料热导率，优化了材料的热电性能。以上结论与实验结果一致。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-13 14:30:11 |
| 下载次数： |
576 |
| 消耗积分： |
2
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