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水相/有机两相电化学方法制备阵列聚吡咯纳米线 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
聚吡咯 界面聚合 电化学聚合 纳米结构阵列 |
| 资料大小： |
95K |
| 所属学科： |
高分子化学 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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阵列纳米结构在化学、生物传感器、场发射和光电器件等方面具有广泛的应用前景。我们采用水相/有机两相体系，用电化学氧化的方法获得垂直于电极表面的阵列聚吡咯纳米线。与界面化学法合成聚苯胺相比，这种方法获得的纳米线比较均匀，纳米线之间没有融合的结点。与多步电化学和稀溶液化学氧化的方法生长的阵列聚苯胺（长度一般小于1微米）相比，这种方法获得的吡咯纳米线的长度可以通过循环伏安的圈数控制在几百纳米到几个微米之间，直径可以通过电极表面的粗糙度来控制最初的成核密度来实现，大约在为110－200纳米之间。这种纳米线的形成区别于一般的模板法或无模板法，无须引入外来的空间取向因素。纳米线的形成不受所用掺杂剂（酸）的影响。聚吡咯纳米线形成的机理为首先在电极表面成核，由于掺杂剂的保护作用和界面扩散控制的非常低的吡咯单体浓度使聚合是发生在纳米线的顶端。该方法准备阵列聚吡咯纳米线非常简单有效，在纳米器件（如场发射，化学和生物传感器）和电响应的功能表面等领域具有潜在的应用。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-12-04 17:22:33 |
| 下载次数： |
5551 |
| 消耗积分： |
2
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