| 简介： |
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高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料。制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极。关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜，大都是采用蒸发镀膜技术，膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固。本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究。理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系，根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料。利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜。研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低。从理论上对这一规律进行了解释。 |
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