具有隔离结构的RGO/UHMWPE电磁屏蔽材料，第二届高分子成型加工及其产业发展研讨会(2015.5.16

具有隔离结构的RGO/UHMWPE电磁屏蔽材料

资料类型：

JPG图片格式

关键词：

石墨烯超高分子量聚乙烯隔离结构电性能电磁屏蔽性能

资料大小：

415KB

所属学科：

分子表征

来源：

第二届高分子成型加工及其产业发展研讨会(2015.5.16－18成都)

简介：

石墨烯由于极大的比表面积、径厚比和高电导率，广泛用于导电高分子复合材料[1, 2]。本文通过溶液辅助分散法将氧化石墨烯(GO)包覆在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)微粒表面，并通过水合肼还原、模压成型制备了还原氧化石墨烯(RGO)/UHMWPE导电复合材料。光学显微镜形态结果表明RGO选择性分布在UHMWPE微区界面处形成连续导电网络，即在复合材料中形成隔离结构[3, 4]。热压成型过程中，由于UHMWPE的高熔体粘度，RGO很难渗入到UHMWPE微区内部，最终选择性分布于微区界面。研究发现，隔离结构形成有利于提高RGO/UHMWPE复合材料的高电磁屏蔽性能。RGO含量仅为1.5 vol%时，复合材料平均磁屏蔽效能(EMI SE)可达26.7 dB，已满足商业应用基本水平(20 dB)；RGO含量增加到6.4 vol%时，平均EMI SE可提高至47.3 dB。

作者：

崔成华，庞欢，鄢定祥，李忠明

上传时间：

2015-06-26 15:13:23

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