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Block copolymers composite for advanced memory device applications  
Block copolymers composite for advanced memory device applications
资料类型: PDF文件
关键词:
资料大小: 632K
所属学科: 分子表征
来源: 2012年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会(2012.8.26-29,湘潭)
简介:
Resistiveswitchingmaterialsmadeoforganicpolymerthinfilmshasbeenrecognizedtobeapromisingalternativeascomparedtotraditionalinorganiccounterpartsduetotheadvantagesofstructuralflexibility,low-cost,solutionprocessability,andthree-dimensionalstackingcapability.Theactivelayerexhibitsdistincthighandlowconductanceresponsestotheappliedvoltagesfortheapplicationsofdigitalmemorydeviceswithsimplesandwichedstructures.Hybrid-typecompositedevicecanbeinvestigatedtoinducethebistableresistiveswitching.Forthehostmatrices,blockcopolymersthatconsistoftwoormorecovalently-bondedblocksmicro-phaseseparateonthemolecularscaletopossessavarietyofstructuresanduseastemplateformanipulatingtheguestadditivespreciselyincompositessystemwithphysical/chemicalstability.Inthistalk,bistableresistiveswitchingcharacteristicsusingasymmetricpoly(styrene-block-4-vinylpyridine)(PS-b-P4VP)blockcopolymersandPCBMorgrapheneoxideaschargestoragematerialsarereportedforvariousmemoryeffectssuchasnon-volatile(flashorwrite-onceread-manytimes(WORM))andvolatile(dynamicrandom-accessmemory(DRAM)orstaticrandom-accessmemory(SRAM))memory.Differentswitchingmechanismsuchastrapping/detrappingorchargetransfereffectwillbediscussed.Ourresultssuggestthatthecontrolledmorphologyoftheblockcopolymerscompositecouldcreatenanoscalechargestorageelementsforthehighdensitymemorydevicewithareducingbitcellsize.
作者: Cheng-Liang Liu, Wen-Chang Chen
上传时间: 2012-12-12 14:54:31
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