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Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究 |
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资料类型: |
PDF文件
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关键词: |
气-液-固反应 Ag(TCNQ)纳米线 场发射 |
资料大小: |
145K |
所属学科: |
性能表征 |
来源: |
来源网络 |
简介: |
采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线。样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50~300nm,长度在2~50µm。初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vµm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vµm-1。由测量所得I-V曲线得到的Fowler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能。重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性。结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素。 |
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上传人: |
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上传时间: |
2007-07-09 16:19:24 |
下载次数: |
588 |
消耗积分: |
2
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立即下载: |
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