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Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
气－液－固反应 Ag(TCNQ)纳米线 场发射 |
| 资料大小： |
145K |
| 所属学科： |
性能表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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采用气－液－固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线。样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应；SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长，直径在50~300nm，长度在2~50&micro；m。初步对其场发射性能进行了研究，所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5V&micro；m-1，最大发射电流密度约为0.03mAcm-2，此时对应的电场约为2.5V&micro；m-1。由测量所得I-V曲线得到的Fowler-Nordheim（F-N）曲线近似为一条直线，说明样品具有场发射性能。重复实验表明，Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性。结合纳米线制备工艺，初步分析了场发射性能的影响因素。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-09 16:19:24 |
| 下载次数： |
588 |
| 消耗积分： |
2
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