 |
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响 |
|
|
|
| 资料类型： |
PDF文件
|
| 关键词： |
氮化硼薄膜 表面热处理 场发射 发射电流 阈值电场 |
| 资料大小： |
112K |
| 所属学科： |
性能表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
|
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si（100）基底上沉积了纳米氮化硼薄膜，然后对薄膜在真空度低于510-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理，分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究，结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响，样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关，未进行热处理的样品阈值电场较低，可能归因于表面负电子亲和势效应，阈值电场为8V/&micro；m，发射电流为80&micro；A，热处理温度为800℃时，负电子亲和势仍然存在，直到热处理温度达到1000℃时，表面负电子亲和势才消失。 |
|
| 上传人： |
|
| 上传时间： |
2007-07-11 14:07:13 |
| 下载次数： |
586 |
| 消耗积分： |
2
|
| 立即下载： |
|
|
| 友情提示：下载后对该资源进行评论，即可奖励2分。 |
|
| 报告错误： |
1.下载无效
2. 资料明显无价值
3. 资料重复存在 |
| |
|
|
| 你还没有登录，无法发表评论，请首先 |
 |
| 免责声明：本站部分资源由网友推荐，来自互联网，版权属于原版权人，如果不慎侵犯到您的权利，敬请告知，我们会在第一时间撤除。本站中各网友的评论只代表其个人观点，不代表本站同意其观点。 |
|
|
|
|
