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室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 |
| 资料大小： |
137K |
| 所属学科： |
性能表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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采用高能离子注入的方式，在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体。借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析，没有发现新的衍射峰，并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化。根据原子力显微镜的结果，发现注入后的样品表面起伏比较大，发生明显的变化。通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析，在所分析的10～300K范围内，磁化强度变化幅度较小，样品在室温条件下仍然保持铁磁性。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-13 13:54:39 |
| 下载次数： |
577 |
| 消耗积分： |
2
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