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Bi4Ti3O12铁电薄膜I－V特性的研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
铁电薄膜 Bi4Ti3O12 漏导机制 I-V特性 |
| 资料大小： |
135K |
| 所属学科： |
性能表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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采用溶胶-凝胶工艺（Sol-Gel）在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜，对所得样品的漏导行为进行了研究。研究表明，Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10－9A/cm2，满足器件应用的要求。在不同场强下薄膜的漏导机制不同，而且正向和负向电场作用下I-V曲线明显不同，正向漏电流明显小于负向漏电流。电压低于2V时，薄膜以欧姆导电机制为主，电压在2~5.4V(加正向电压)或2.2~3.6V(加负向电压)时，BIT薄膜应以Schottkyemission导电机制为主；而对于较高的场强下，BIT薄膜以Space-chargelimitedcurrents(SCLC)导电机制为主。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-12 15:48:49 |
| 下载次数： |
589 |
| 消耗积分： |
2
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