中国科大刘世勇教授团队 Angew:基于精准高分子化学的单组分极紫外光刻胶
2024-09-29 来源:高分子科技
在过去几十年中,光刻技术不断进步,以实现更小的临界尺寸,推动集成电路向更高水平的集成发展。极紫外(EUV)光刻已成为制造亚10 nm特征的最先进技术,但其材料面临重大挑战。尽管化学放大光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯是EUV光刻的主要材料,但它们的性能未能达到预期标准。在同时实现分辨率、线边粗糙度(LER)和灵敏度需求的光刻胶开发上,仍然存在显著挑战。
图1. (a) 自降解聚合物在电子束或极紫外光刻中的降解和交联机制。(b) 通过迭代增长法合成的自降解聚合物光刻胶显示出更高分辨率和更低的线边缘粗糙度。
图4. 刻蚀抗性评估
原文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202415588
版权与免责声明:中国聚合物网原创文章。刊物或媒体如需转载,请联系邮箱:info@polymer.cn,并请注明出处。
(责任编辑:xu)
相关新闻
- 麦吉尔大学李剑宇课题组 Adv. Sci.: 利用超声空化的快速、无引发剂的高性能水凝胶制备方法 2025-04-24
- 济南大学化学化工学院国家级人才团队招聘 - 教授、副教授、讲师、博士后(师资) 2025-04-21
- 陕西科技大学杨洋、哥廷根大学张凯 ACS Nano:“强弱协同作用”构筑高性能水凝胶电解质 2025-04-17
- 浙大伍广朋教授课题组 Angew:可水显影的高性能二氧化碳基化学放大光刻胶 2024-09-27
- 华科大朱明强教授、湖北九峰山实验室柳俊教授/向诗力博士团队 ACS APM:再度发力光刻胶领域 2024-04-01
- 华科大朱明强教授联合湖北九峰山实验室柳俊教授/向诗力博士团队 CEJ:二元协同增强型化学放大胶助力半导体光刻制造 2024-02-22