中国科大刘世勇教授团队 Angew:基于精准高分子化学的单组分极紫外光刻胶
2024-09-29 来源:高分子科技
在过去几十年中,光刻技术不断进步,以实现更小的临界尺寸,推动集成电路向更高水平的集成发展。极紫外(EUV)光刻已成为制造亚10 nm特征的最先进技术,但其材料面临重大挑战。尽管化学放大光刻胶和聚甲基丙烯酸甲酯是EUV光刻的主要材料,但它们的性能未能达到预期标准。在同时实现分辨率、线边粗糙度(LER)和灵敏度需求的光刻胶开发上,仍然存在显著挑战。
图1. (a) 自降解聚合物在电子束或极紫外光刻中的降解和交联机制。(b) 通过迭代增长法合成的自降解聚合物光刻胶显示出更高分辨率和更低的线边缘粗糙度。
图2. 电子束光刻下,传统多分散聚合物(PBn-iOc)和精准高分子(Bn-Mer8-OH, Bn-Mer10-OH和Bn-Mer12-OH)构建的纳米图案的SEM图像。
图3. EUV光刻下,传统多分散聚合物(PBn-iOc)和精准高分子(Bn-Mer10-OH和Bn-Mer12-OH)构建的纳米图案的AFM图像。
图4. 刻蚀抗性评估
原文链接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202415588
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