韩国研究财团17日发布，国内研究组成功开发了比基准有机薄膜与无机薄膜三极管的电荷移动度优秀的''新高分子半导体素材''。

    此次研究是高丽大学基础科学研究所的崔东勋教授，作为教育科学技术部与研究财团促进中的''理工领域的大学重点研究所支援项目''的一环而进行的研究开发。

    研究成果在化学领域的权威学术志之《Journal of the American Chemical Society/IF 9.0''》的133号上登载。

    以有机物质为基础制作的有机薄膜三极管与基准的硅基础的无机薄膜三极管不同，保有了可以柔软制作，冲击力强，并且类似纸张薄度的优点。

    崔东勋教授组与曾经以基准的有机薄膜三极管素材进行许多研究的含有thiophene的半导体高分子物质不同，在有机薄膜三极管中含有了selenophene，并有效地将高分子合成成功。

    结果利用此高分子物质在常温下可以简单地制造有机薄膜三极管的同时，比基准的无机薄膜三极管的电荷移动度(~0.5 cm2V-1s-1)快2~3倍，在目前世界级的机能性半导体素材中，其移动度得到了瞩目。

    主导研究的崔教授对研究的意义讲到："利用此次开发的新有机高分子半导体物质，期待可以第二代显示部件素材的利用，并可以适用在三极管所要求的传感器与电钮等多种应用范围上。此研究今后可以为在利用有机半导体的第二代弯曲的电子素子(soft electronics)应用领域的发展上带来革新的期待"。